哈尔滨质量好的宽带超辐射发光光源

Superlum 宽带超辐射发光二极管是一种介于半导体激光器和发光二极管之间的新型光源，结合了两者各自的特点，具有相干长度短、光谱宽、输出功率高、工作稳定性好等工作特性，普遍应用于各种工程领域，有着巨大的发展潜力，近年来在国内外均有大量的研究和报导。1053nm发射波长的超辐射发光二极管是一种新型的半导体发光器件,在光学传感与测量、光学相干层析成像技术、激光器种子源等方面有着广阔的应用前景,目前国内尚没有同种器件的研制报导。Superlum 宽带超辐射发光二极管可用于实验室测试。哈尔滨质量好的宽带超辐射发光光源

Superlum 宽带超辐射发光二极管作为-种非相干性宽带光源，其性能介于激光器和发光二极管之间，具有宽的光谱以及较大光输出功率特性，成为光纤陀螺仪(FOG)和光纤传感器的理想光源，同时也成为了光时域反射仪(OTDR)以及部分光通信设备的主要光源之一，在光纤传感器、相干光照相系统、光纤通讯系统、临床医学系统等许多方面具有普遍的用途。介绍了超辐射发光二极管(SLD)的内部结构，工作原理，相关在发展中的应用与问题，以及SLD内部磁场分析和仿真设计。淮安宽带超辐射发光光源生产代理厂商Superlum 宽带超辐射发光二极管波长、谱宽可选 。

如果保持Superlum 宽带超辐射发光二极管内部器件的温度不升高，那么电流增大就能使SLD光源器件的输出功率增大，但是不可能无限增大电流，因为现有的技术以及对其外观大小的要求决定了只能通过协调温度和电流之间保持达到合理的较大输出功率。而这样的要求就要经过SLD光源器件的电路驱动设计来完成。SLD驱动控制多采用制冷器控制，或者恒流控制。SLD光源器件内部虽然发光管管芯是主要的工作器件，但里面的热敏电阻器和制冷器也是必不可少的，三者缺一不可。

Superlum 超辐射发光二极管主要的失效模式与失效机理：管芯有源区退化。主要表现在管芯部件上,管芯退化的直接原因是有源区内存在晶格以及这些晶格缺陷在持续工作过程中的逐渐扩大。耦合失效。耦合失效部位包括管芯与尾纤的耦合处和热敏电阻。SLD模块中尾纤与管芯的耦合为亚微米量级的对准，管芯与尾纤耦合偏移将导致光源的光功率逐渐减小直至消失。引起光纤与管芯耦合偏移的主要因素是外界应力。热敏电阻主要是温循导致的阻值漂移、材料老化，电迁移导致电极有效面积减少,热-机械应力导致内部裂纹的蔓延与扩展等。焊料退化失效，对SLD来说，所用焊料主要有纯锢、纯锡、金锡易熔合金以及金锗易熔合金等。焊料是较常用的焊料,其应力较小，但老化期间易变质，从而形成一一个退化源。变质造成器件热阻增加，从而使激光器性能退化。Superlum 超辐射发光二极管像其它的混合器件一样，相对于LED和LD,SLD在它们的较佳性能之间必须要进行折衷。

Superlum 超辐射发光二极管成品，在工作电流为150mA时，光谱中心波长为1052.6nm,光谱宽度为27.74nm,输出功率为4.4mW,与国外相同水平的器件参数接近，填补了国内空白。超辐射发光二极管(SuperluminescentDiode,SLD)是一种结合了发光二极管(LightEmittingDiode,LED)和半导体激光器(LaserDiode,LD)两种器件工作特性的半导体光发射器件。SLD输出的光是由有源层中电子空穴对复合产生的放大自发辐射。通常有源区不进行故意掺杂，而有源层上方和下方的包层则分别进行p和n型掺杂，且材料的带隙比有源层稍大。包层的材料有着较低的折射率,这也是在有源层及其附近的区域实现光波导的必要条件。其他领域发展的同时，对于Superlum 超辐射发光二极管的性能要求也来越高。哈尔滨质量好的宽带超辐射发光光源

Superlum 宽带超辐射发光二极管特性：高功率稳定性；高温度稳定性；内外调制模式。哈尔滨质量好的宽带超辐射发光光源

经过人们的研究，可以通过以下几种方式解决注入电流的增大会使得光谱宽度变窄问题。:一种为有源区优化设计。Superlum 宽带超辐射发光二极管有源区结构分为量子阱(QW)和量子点(QD)两种;第二，阻抑SLD受激振荡;第三:利用横向结取代垂直结;第四:改进散热方式。另外，可以改良SLD使其具有抗辐射性，在一些领域运用里能取到很好的效果。宽光谱，大功率输出特性的超辐射发光二极管(SLD)将会是一个不断深入的研究领域，而研制出更大输出功率，高灵敏度，低相干性，高稳定性的超辐射发光二极管也是人们的必然要求。但是由于温度制约着输出功率，就要求人们必须设计出更为完善的电路驱动方案,或者发掘新型的材料来不断提高超辐射发光二极管的性能。相信，随着超辐射发光二极管以及各方面的科学领域发展，今后的SLD光源将会得到更大的用处，并且衍生出新的领域。哈尔滨质量好的宽带超辐射发光光源